【許家源記者 / 綜合報導】

在半導體的顯微鏡下，Micro LED 一直被譽為顯示技術的「聖杯」，但其高昂的成本與生產難度令 AR 等應用普及緩慢。富采與德國 ALLOS 於 2026 年 1 月 19 日宣布的策略合作，正是要透過 8 吋矽基氮化鎵（GaN-on-Si）技術，將這座聖杯帶下神壇。這次合作不僅是將磊晶片從傳統規格擴大至 8 吋以提升單片產出面積，更是為了與現有的矽晶圓（Si-wafer）製程高度相容。這意味著未來 Micro LED 晶粒能像處理器晶片一樣，在標準化的半導體廠內大規模量產，大幅降低製程成本，加速 Micro LED 於 AR 近眼顯示器的普及。

從產業結構來看，這是一次「技術互補」的典型案例。富采專注於 LED 結構設計與豐厚的量產經驗，而 ALLOS 則提供關鍵的矽基氮化鎵緩衝層技術。根據受訪者回覆，本次合作並非涉及專利共享，而是透過技術協作與工藝整合來加速商用化進程。這項策略將大幅強化富采在 Micro LED 供應鏈中的核心地位，特別是在 8 吋 GaN-on-Si 磊晶片的量產能力上，為產業提供具規模化且更成熟的解決方案。對於投資人與競爭者（如 Samsung、Osram）而言，這標誌著富采已搶先掌握了通往高解析度、超小像素間距市場的「技術通行證」。

除了技術層面的躍升，這項合作更兼具了環境與永續性的數據優勢。矽基氮化鎵技術能與現有矽晶圓製程高度相容，不僅提升了生產良率，更能有效降低材料浪費。透過 8 吋晶圓的擴展性，整體製程效率顯著提升，間接降低了能耗與單位成本。富采與 ALLOS 的目光甚至已超越現狀，ALLOS 自 2020 年起便具備 12 吋量產能力，未來雙方將持續朝 12 吋技術鋪路。這不僅核實了 Micro LED 將朝向更大尺寸、更高效率發展的長期趨勢，也為台灣在下一代半導體顯示戰場上，預埋了深厚的國際競爭力。

新聞來源:(採訪紀錄如下圖)